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Rasgos del artículo
| Categoría: | |
|---|---|
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Sólo uno en stock, para muy pronto |
| Condition: |
New |
| Brand: |
Case |
| EAN: |
Non applicabile |
Detalles del anuncio
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|---|---|
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| Publicado en venta: |
Más de una semana |
| Artículo número: |
1718845644 |
Descripción del Artículo
BU406D NPN Epitaxial Switching Silicon Si Transistor 60 W 10 A 200 V TOP 66 Case
Caratteristiche
Vcev (Collector emitter voltage) = 400V
Vceo (Collector emitter voltage Ib = 0) = 200V
Vcbo (Collector base voltage) = 400V
Vebo (Emitter base voltage) = 6V
Ic (Collector current) = 7A
Icm (Collector current peak) = 15A
Ib (Base current) = 4A
Pt (Total power dissipation) = 60W
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